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中国新能源材料行业总体发展趋势预测(原创)

日期:2019-02-05 15:00

  微电子技术发展的主要途径是通过不断缩小器件的特征尺寸,增加芯片面积以提高集成度和信息处理速度,由单片集成向系统集成发展。

  (一)Si、GaAs、InP等半导体单晶材料向着大尺寸、高均质、晶格高完整性方向发展。椎8英寸硅芯片是目前国际的主流产品,椎12英寸芯片已开始上市,GaAs芯片椎4英寸已进入大批量生产阶段,并且正在向椎6英寸生产线过渡;对单晶电阻率的均匀性、杂质含量、微缺陷、位错密度、芯片平整度、表面洁净度等都提出了更加苛刻的要求。

  (二)在以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料继续发展的同时,加速发展第三代半导体材料———宽禁带半导体材料SiC、GaN、ZnSe、金刚石材料和用SiGe/Si、SOI等新型硅基材料大幅度提高原有硅集成电路的性能是未来半导体材料的重要发展方向。

  (三)继经典半导体的同质结、异质结之后,基于量子阱、量子线、量子点的器件设计、制造和集成技术在未来5~15年间,将在信息材料和元器件制造中占据主导地位,分子束外延MBE和金属有机化合物化学汽相外延MOCVD技术将得到进一步发展和更加广泛的应用。

  (四)高纯化学试剂和特种电子气体的纯度要求将分别达到lppb~0.1ppb和6N级以上,0.5μm以上的杂质颗粒必须控制在5个/毫升以下,金属杂质含量控制在ppt级,并将开发替代有毒气体的新品种电子气体。

  光电集成将是21世纪光电子技术发展的一个重要方向。光电子材料是发展光电信息技术的先导和基础。材料尺度逐步低维化——由体材料向薄层、超薄层和纳米结构材料的方向发展,材料系统由均质到非均质、工作特性由线性向非线性,由平衡态向非平衡态发展是其最明显的特征。发展重点将主要集中在激光材料、红外探测器材料、液晶显示材料、高亮度发光二极管材料、光纤材料。

  (一)激光晶体材料:向着大尺寸、高功率、LD泵浦、宽带可调谐以及新波长、多功能应用方向发展。

  (二)红外探测器材料:大面积高均匀性HgCdTe外延薄膜及大尺寸ZnCdTe衬底材料仍是2010年前红外探测器所用的主要材料。

  (三)液晶材料:研究发展超扭曲向列型STN和薄膜晶体管型TFT显示器所用混合液晶,提高性能,降低成本。

  (四)高亮度发光二极管材料:继规模生产发红、橙、黄色的GaAs基、GaP基外延材料之后,拓宽发光波段,开发发蓝光的GaN基、ZnSe基外延材料将成为研究热点。

  (五)光纤材料:光纤材料总体发展趋势是向着不断扩展通信容量,降低损耗,增加传输距离,降低色散,提高带宽,抑制非线性效应,实现密集波分复用以及高灵敏度传感方向发展。光纤预制棒的生产制造由单一工艺LCVD、PCVD、OVD和VAD向着混合工艺方向发展,不断增大预制棒尺寸单棒拉丝长度。

  严谨、科学的研究方法才能确保研究报告的准确性和质量。《2012-2016年中国新能源材料产业发展形势及市场前景分析报告》主要采用的研究方法有:1)普查:我们对新能源材料行业中近百家从业者进行了面访或电话访问,获得最佳一手数据。2)跟踪研究:为确保实时掌握新能源材料行业动态,我们在此新能源材料行业建立了跟踪研究机制,每个月都通过访问获得新能源材料行业的发展动态。3)政府机构数据:我们查询了新能源材料行业的重点企业的工商档案、统计局档案、海关进出口数据等等,获得较为权威的信息。4)SOWT分析:应用SWOT分析、波特五力分析等方法,我们分析了新能源材料行业及企业的竞争优劣势以及潜在的威胁及发展机会。5)科学预测:我们采用回归分析、时间序列分析、因子分析、组合分析等方法对新能源材料的发展趋势做出了全的预测。

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